AI 数据中心高速互联持续升级，高速PD 进入新一轮产品迭代周期。
　　随着AI 算力集群规模持续扩张，数据中心内部互联带宽需求不断提升，光模块加速由400G 向800G、1.6T 升级，单通道速率亦由100G/lane 向200G/lane演进。作为光模块接收端完成光电转换的核心器件，PD 需同步提升带宽和响应度，降低结电容，并优化封装对准精度，产品技术门槛随速率升级明显提高。我们认为，PD 此前更多被市场视为成熟的基础光器件，而在1.6T 及更高速率产品逐步导入的背景下，其重要性正在重新提升。
　　高速PD 竞争由单一性能指标向产品量产、客户验证及封装协同能力延伸。 200G/lane 对PD 的带宽、低电容、低暗电流及高频封装提出更高要求，同时PD 与TIA 之间的匹配以及封装寄生效应对接收端性能的影响进一步提升，推动产业竞争从实验室性能指标向联合验证和规模交付能力转变。
　　目前海外厂商已率先布局200G/lane 高速PD，并进一步向400G/lane 演进；国内厂商亦加快100G、200G PD 产品研发及客户导入，产业链正处于产品升级与国产厂商突破的关键阶段。
　　产品升级有望带来结构性价值增量。800G、1.6T 放量将持续拉动高速PD需求，但单通道速率提升后，同等总带宽下所需PD 数量并不会同比增加，因此行业增量更多来自200G/lane 产品ASP 提升及产品结构升级。同时，硅光技术持续渗透，Ge-on-Si PD 逐步集成于PIC 或光引擎内部，使高速PD 产业链形成分立InGaAs PD 与集成PD 并行发展的技术路线，独立PD 芯片市场空间与PD 整体功能需求需要分别观察。在市场关注度相对有限的背景下，我们建议关注高速PD 产品迭代、客户验证及产业化进展带来的结构性机会。
　　风险提示： AI 数据中心及高速光模块需求不及预期；单通道速率升级及产品迭代不及预期；高速PD 产业化不及预期；行业竞争加剧
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