三星电子近日传出考虑将其模压填充（MUF）技术应用于下一代DRAM内存产品，尤其针对服务器级产品。三星最近对一种用于3D堆栈内存的MR MUF工艺进行测试，结果显示与TC NCF工艺相比，吞吐量有所提高，但物理特性有所下降。经过评估，三星得出结论，MUF技术不太适合高带宽内存（HBM），但非常适合3DS RDIMM。目前，3DS RDIMM主要使用硅通孔（TSV）技术制造。这一技术的潜在应用，可能会对服务器市场产生重要影响。
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（责任编辑:董萍萍）