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三星电子:明年量产3纳米芯片,2025年量产2纳米芯片

10-07 智通财经
语音播报预计2分钟

智通财经APP获悉,据报道,三星电子10月7日在公司举办的晶圆代工论坛上表示,2025年将开始量产2纳米芯片,明年上半年开始生产客户设计的3纳米芯片,第二代的3纳米芯片则预期在2023年生产。

三星晶圆代工部门总裁Choi sSi-young表示:“我们将全面提供制造产能,在最先进的技术方面维持领先。持续在应用层面精进技术。”

三星表示,公司的GAA电晶体结构先进制程技术已经发展完备,明年可为客户量产3纳米芯片,2025年量产2纳米芯片。GAA制程生产的3纳米芯片与5纳米相比,性能增强30%,功耗减少50%。

三星同时也在持续改善鳍式电晶体(FinFET)制程技术,该公司表示,其17纳米FinFET制程晶片与28纳米相比,性能增强39%,功率增强49%,面积减少43%。

(责任编辑:和讯网站)
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