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Intel发布史上最详细工艺和封装技术路线图 CEO:再一次领先业界

07-27 快科技
语音播报预计8分钟

今天,Intel发布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图,展示了一系列底层技术创新。

除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET 和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外,Intel还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻(EUV)技术的计划,即高数值孔径(High-NA)EUV。

据悉,Intel有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。

Intel CEO帕特·基辛格表示,基于Intel在先进封装领域毋庸置疑的领先性,我们正在加快制程工艺创新的路线图,以确保到2025年制程性能再度领先业界。

Intel正利用我们无可比拟的持续创新的动力,实现从晶体管到系统层面的全面技术进步。在穷尽元素周期表之前,我们将坚持不懈地追寻摩尔定律的脚步,并持续利用硅的神奇力量不断推进创新。

Intel技术专家详述了以下路线图,其中包含新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术:

Intel发布史上最详细工艺和封装技术路线图 CEO:再一次领先业界

基于FinFET晶体管优化,Intel 7与Intel 10nm SuperFin相比,每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采Intel 7工艺,之后是面向数据中心的Sapphire Rapids预计将于2022年第一季度投产。

Intel 4完全采用EUV光刻技术,可使用超短波长的光,刻印极微小的图样。凭借每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进,Intel 4将在2022年下半年投产,并于2023年出货,这些产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。

Intel发布史上最详细工艺和封装技术路线图 CEO:再一次领先业界

Intel 3凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用,较之Intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升,在芯片面积上也会有额外改进。Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。

Intel 20A将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 20A预计将在2024年推出。Intel也很高兴能在Intel 20A制程工艺技术上,与高通公司进行合作。

2025年及更远的未来:从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中,将于2025年初推出,它将对RibbonFET进行改进,在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。

Intel还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV,有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。Intel正与ASML密切合作,确保这一行业突破性技术取得成功,超越当前一代EUV。

Intel高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士表示:“Intel有着悠久的制程工艺基础性创新的历史,这些创新均驱动了行业的飞跃。我们引领了从90 nm应变硅向45 nm高K金属栅极的过渡,并在22 nm时率先引入FinFET。凭借RibbonFET和PowerVia两大开创性技术,Intel 20A将成为制程技术的另一个分水岭。”

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Intel高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士

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#Intel#创新#摩尔定律#工艺#路线图

(责任编辑:王治强)
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