长鑫长存推动存储产业链国产化，2024年HBM全球市场规模达169亿美元

存储行业产量增长有限，需求端复苏叠加AI浪潮驱动，提振存储需求。

随着三大存储原厂降低资本开支、减产调节库存，海外存储芯片库存水位趋于正常化。海力士存货回落，三星、美光库存增速放缓。2024年全球智能手机出货量预计同比增长4%，PC市场逐步复苏，预计同比增长8%。AI服务器出货量快速增长，预计全球服务器出货量同比增长2.05%。DRAM和NAND单机容量预期有双位数以上增长，成为存储市场需求增长的主要驱动力。

存储晶圆价格自2023Q3开始触底反弹，上涨趋势明显。上游晶圆价格被拉高，存储模组价格也随之上涨。存储进入新一轮上行周期。三大存储原厂营业利润率有上升空间，存储价格或将持续更久。存储厂商有望迎来业绩与估值的戴维斯双击，行业存在较大的反弹空间。

DDR5渗透率预计2023年达到25%-30%，2024年中超过50%。HBM全球市场规模预计2024年达到169亿美元。主流厂商已进入对应10nm/12nm制程节点。长鑫批量生产18.5nm工艺的DRAM芯片，月产量高达10万片晶圆。长存实现232层3D NAND量产，首次领先海外厂商。

建议关注存储模组、存储芯片设计、模组侧配套芯片、HBM产业链等公司。看好行业周期反转的确定机会及产业链国产化趋势下的投资机遇。需关注下游需求复苏、技术研发进程、国产替代及地缘政治风险。