【三星考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存】据报道，三星正考虑在其下一代DRAM中引入模压填充（MUF）技术。最近，三星对一种用于3D堆叠（3DS）内存的MR MUF工艺进行了测试，发现相比于TC NCF技术，虽然吞吐量有所提升，但物理特性有一定程度的恶化。经过测试，三星得出结论称，MUF技术不适用于高带宽内存（HBM），但非常适合3DS RDIMM。目前，3DS RDIMM主要用于服务器，采用硅通孔（TSV）技术制造。
风险提示：以上内容仅作为作者或者嘉宾的观点，不代表和讯的任何立场，不构成与和讯相关的任何投资建议。在作出任何投资决定前，投资者应根据自身情况考虑投资产品相关的风险因素，并于需要时咨询专业投资顾问意见。和讯竭力但不能证实上述内容的真实性、准确性和原创性，对此和讯不做任何保证和承诺。
（责任编辑:张晓波）